Œ^–¼ ŽÐ–¼ —p“r \‘¢ Å‘å’èŠi Max. Ratings (Ta=25ßC) “d‹C“I“Á« Elec. Character. (Ta=25ßC) ŠOŒ` ”õl
Mnf. App. Type VCBO VEBO Ic Pc Tj ’¼—¬–”‚̓pƒ‹ƒXhFE fab/ft* Cob Pac. Dim. No.
(V) (V) (mA) (mW) (ßC) VCE(V) Ic(mA) (MHz) (pF)
2SC1204 “ú—§ RF.AF Si.EP 30 100 310 125 250 12 2 230* 1.8 37A
2SC1205 “ú—§ RF.Mix. Si.P 30 100 310 125 120 12 2 230* 1.5 37A
Conv.Osc
2SC1206 ŽO•H RF.PA Si.EP 45 4.5 1.7A 25W(Tc=25ßC) 175 50 25 50 209
2SC1206A ŽO•H PA Si.EP 45 4.5 1.7A 25W(Tc=25ßC) 175 50 25 50 209
2SC1206B ŽO•H PA Si.EP 45 4.5 2A 25W(Tc=25ßC) 175 50 25 50 209
2SC1207 ŽO•H PA Si.EP 45 4.5 3A 30W(Tc=25ßC) 175 50 25 50 209
2SC1207A ŽO•H PA Si.EP 209
2SC1207B ŽO•H PA Si.EP 45 4 4A 50W(Tc=25ßC) 175 209
2SC1208 ŽO•H PA Si.EP 36 5 10A 60W(Tc=25ßC) 175 50 10 500 127
2SC1208A ŽO•H PA Si.EP 36 5 10A 60W(Tc=25ßC) 175 127
2SC1209 ŽO•H PA Si.EP 25 4 700 500 125 100 1 500 150* 15 138B 2SA695‚ƃRƒ“ƒvƒŠ
2SC1210 ŽO•H PA Si.EP 45 4 500 500 125 100 2 150 130* 10 138B 2SA696‚ƃRƒ“ƒvƒŠ
2SC1211 ŽO•H RF.PA Si.EP 65 4 500 500 125 100 2 150 130* 10 138 2SA697‚ƃRƒ“ƒvƒŠ
2SC1212 “ú—§ PA Si.EPa 50 4 1A 8W(Tc=25ßC) 150 60-200 4 50 160* 30 160 2SA743‚ƃRƒ“ƒvƒŠ
2SC1212A “ú—§ PA Si.EPa 80 4 1A 8W(Tc=25ßC) 150 60-200 4 50 160* 30 160 2SA743A‚ƃRƒ“ƒvƒŠ
2SC1213 “ú—§ AF Si.EPa 35 4 500 400 125 60-320 3 10 138 2SA673‚ƃRƒ“ƒvƒŠ
2SC1213A “ú—§ AF Si.EPa 50 4 500 400 125 60-320 3 10 138 2SA673A‚ƃRƒ“ƒvƒŠ
2SC1214 “ú—§ AF Si.EPa 50 4 500 600 125 60-320 3 10 138
2SC1215 ¼‰º AF Si.EP 30 3 50 400 150 100 10 2 1200* Cre 1pF 138
2SC1216 “ú“d SW Si.E 40 5 200 300 150 140 1 10 500* 3 49C
2SC1217 “ú“d RF.SW Si.E 150 5 300 750 175 70 10 50 250* 3.7 84B 2SA712‚ƃRƒ“ƒvƒŠ
2SC1218 “ú“d RF.SW Si.E 80 5 500 750 175 80 10 50 370* 3.5 84B
2SC1219 •xŽm’Ê RF Si.EP 30 5 500 200 125 160 2 100 60* 12 138
2SC1220 •xŽm’Ê RF Si.EP 50 5 500 200 125 160 2 100 60* 12 138
2SC1221
2SC1222 “ú“d RF.LN Si.E 60 5 100 250 125 500 3 0.5 100* 3.5 138 2SA640‚ƃRƒ“ƒvƒŠ
2SC1223 ŽO•H PA Si.EP 30 4 500 800 175 70 15 30 84B
2SC1224 ŽO•H SW.PA Si.EP 130 5 800 7W(Tc=25ßC) 150 100 4 300 132
2SC1226 ¼‰º PA Si.EP 40 5 2A 10W(Tc=25ßC) 150 120 5 1A 150* 50 161 2SA699‚ƃRƒ“ƒvƒŠ
2SC1226A ¼‰º PA Si.EPa 50 5 2A 10W(Tc=25ßC) 150 120 5 1A 150* 50 161 2SA699A‚ƃRƒ“ƒvƒŠ
2SC1227 •xŽm’Ê SW Si.TMe 300 5 10A 100W(Tc=25ßC) 175 50 5 5A 27* 102
2SC1228 •xŽm’Ê SW Si.TMe 500 5 10A 100W(Tc=25ßC) 175 15 5 5A 15* 102
2SC1229 •xŽm’Ê SW Si.TMe 250 5 10A 100W(Tc=25ßC) 175 50 5 5A 27* 102
2SC1230 •xŽm’Ê SW Si.TMe 450 5 10A 100W(Tc=25ßC) 175 15 5 5A 15* 102
2SC1231 •xŽm’Ê SW Si.E 20 4 200 300 175 60 1 10 800* 2 49C
2SC1232 •xŽm’Ê PA Si.E 45 3.5 1A 12W(Tc=25ßC) 175 50 5 500 133
2SC1233 •xŽm’Ê PA Si.E 45 3.5 2A 20W(Tc=25ßC) 175 50 5 1A 133
2SC1235 ŽO—m RF.PA Si.T 300 4 100 6.5W(Tc=25ßC) 150 30-160 10 50 60* 7.5 99
2SC1236 “ŒŽÅ LN Si.EP 20 2 30 200 175 70 10 10 6500* 0.8 140
2SC1237 “ŒŽÅ PA Si.EMe 85 4 2A 10W(Tc=25ßC) 150 40 5 500 100* 30 268
2SC1238 ŽO•H PA Si.EP 35 4 150 5W(Tc=25ßC) 175 50 15 40 312
2SC1239 ŽO•H PA Si.EP 80 4.5 4A 12.5W(Tc=25ßC) 175 50 10 100 97B
2SC1240 ŽO•H RF Si.EP 40 3 50 350 175 70 10 10 600* 1¥5 138B
2SC1241 “ŒŽÅ PA Si.EP 40 4 1.5A 10W(Tc=25ßC) 175 >10 5 500 400* 18 135
2SC1241A “ŒŽÅ PA Si.EP 35 3.5 2A 20W(Tc=25ßC) 175 50 5 1A 135
2SC1242 “ŒŽÅ PA Si.EP 40 4 3A 20W(Tc=25ßC) 175 >10 5 800 350* 40 135
2SC1242A “ŒŽÅ PA Si.EP 35 3.5 4.5A 20W(Tc=25ßC) 175 40 5 1.5A 135
2SC1243 ŽO•H SW.PA Si.EP 25 5 1.5A 7W(Tc=25C) 150 100 4 500 132 2SA703‚ƃRƒ“ƒvƒŠ
2SC1244 ŽO•H SW Si.EP 30 4 50 200 125 60 6 1 138B
2SC1246 •xŽm’Ê RF Si.EP 30 5 500 500 175 60-500 2 100 60* 12 138
type:160
2SC1247 •xŽm’Ê RF Si.EP 50 5 500 500 175 60-500 2 100 60* 12 138
type:160
2SC1247A •xŽm’Ê AF.PA Si.EP 50 5 500 500 150 160 2 100 60* 12 138
2SC1248 “ú“d LN Si.E 20 3 30 300 150 100 10 7 2500* 1.2 145
2SC1249 “ú“d RF Si.E 45 3 300 2.8W 50x50x1 150 80 15 65 1700* 3 146A
•ú”M”ÂŽg—p
2SC1250 “ú“d RF Si.E 45 3 300 2.8W 50x50x1 150 80 15 65 1900* 3 146B
•ú”M”ÂŽg—p
2SC1251 “ú“d RF Si.E 45 3 300 7W(Tc=25ßC) 200 20-200 10 50 2200* NF=3.5dB (f=200MHz) 129
2SC1252 “ú“d RF Si.E 45 3 300 800 200 20-200 10 50 1700* NF<4dB(f=200MHz) 84B
2SC1253 “ú“d RF Si.E 45 3 300 800 200 20-200 15 50 2000* NF=3dB(f=200MHz) 84B
2SC1254 “ú“d RF Si.E 45 4 30 250 200 100 6 6 1000* NF=3dB(f=200MHz) 50C
‚QSC1255 “ú“d RF Si.E 30 3 100 3.5W(Tc=25ßC) 200 100 10 50 2700* 1 129
2SC1256 “ú“d PA Si.E 36 4 800 5.5W(Tc=25ßC) 200 50 10 300 84C
2SC1257 “ú“d PA Si.E 36 4 1.5A 14W(Tc=25ßC) 200 50 10 800 184
2SC1258 “ú“d PA Si.E 36 4 3A 28W(Tc=25ßC) 200 50 10 1.5A 184
2SC1259 “ú“d PA Si.E 36 4 6A 58.3W(Tc=25ßC) 200 50 10 3A 149
2SC1260 “ú“d RF Si.E 45 4 30 250 200 40-200 6 6 2000* NF=3dB(f=500MHz) 50C
2SC1261 •xŽm’Ê LN Si.EP 20 3 20 300 150 100 10 7 2500* 1.2 147
2SC1262 •xŽm’Ê RF Si.EP 45 3 300 2.8W 50x50x1 150 80 15 65 1700* 3 148
•ú”M”ÂŽg—p
2SC1263 •xŽm’Ê RF Si.E 45 3 300 2.8W 50x50x1 150 80 15 65 1900* 3 148
•ú”M”ÂŽg—p
2SC1264 •xŽm’Ê RF Si.E 30 3 100 400 150 100 10 40 2000* 2.3 147
2SC1265 “ú“d Diff Si.E 20 3 50 300 175 100 5 1 3000* 1.5 189
2SC1266 “ú“d SW Si.E 100 5.5 1.5A 2W 175 60 1 400 150* 30 83
2SC1267 “ú“d RF Si.E 45 3 300 7W(Tc=25ßC) 200 80 15 50 129
2SC1268 “ú“d RF Si.E 20 3 50 250 200 100 8 10 6000* NF=4.3dB 190
(f=4GHz)
2SC1269 “ú“d RF Si.E 20 3 50 250 200 100 8 10 6500* NF=4.8dB 190
(f=4GHz)
2SC1270 “ú“d RF Si.E 20 3 50 250 200 100 8 10 6500* NF=5.5dB 190
(f=4GHz)
2SC1271 “ú“d RF Si.E 20 3 30 250 200 100 8 10 6000* Cre 0.4 190
2SC1271A “ú“d RF Si.E 20 3 30 250 200 100 8 10 6000* Cre0.4 190
2SC1272 “ú“d RF Si.E 20 3 100 1W 200 80 10 40 4000* Cre<2 190
2SC1273 “ú“d RF Si.E 20 3 100 1W(Tc=25C) 175 80 10 40 190
2SC1274 “ú“d SW Si.E 40 5 300 300 175 70 1 30 350* 2.5 49C
2SC1275 “ú“d RF Si.E 30 3 50 250 200 80 10 10 2000* 1.1 50C
2SC1276 “ú“d RF.SW Si.E 40 5 100 200 125 120 1 10 600* 3 138
2SC1277 “ú“d RF Si.E 60 5 500 250 125 140 2 100 60* 20 138
2SC1278 “ú“d RF.SW Si.E 150 5 50 250 125 120 3 15 150* 4.5 138
2SC1279 “ú“d RF.SW Si.E 180 5 50 250 125 120 3 15 150* 4.5 138
2SC1280 “ú“d RF ƒ_[ƒŠƒ“ƒgƒ“ 15 10 300 250 125 20,000 5 100 180* 5 138
Si.E
2SC1280A “ú“d RF Si.E 40 10 300 250 125 30,000 2 100 180* 5 138
ƒ_[ƒŠƒ“ƒgƒ“
2SC1281 ‰« RF Si.P 20 5 20 300 175 200 1 10uA 120* 2 49C
2SC1282 ‰« RF " 70 5 20 300 175 73 1 2 120* 2 49C
2SC1283 ‰« RF " 110 5 20 300 175 73 1 2 120* 2 49C
2SC1284 ŽO—m Osc Si.EP 30 3 50 200 125 25-200 6 1 700* Cre 0.92 138
2SC1285 ŽO—m RF.AF Si 40 5 100 200 125 200 6 1 140* 3 138
2SC1288 ‰« RF.SW Si.EP 7 3 60 200 175 50 1 20 4500* 1 144
2SC1290 ‰« PA Si.EP 40 3 200 750 175 70 10 100 1500* 2 84B
2SC1292 ŽO•H PA.SW Si.EMe 300 5 2.5A 80W(Tc=25ßC) 150 25 10 500 102
2SC1293 ŽO—m RF Si.EP 25 3 50 300 125 15-120 6 1 400* Cre 1.3 138
2SC1295 ŽO—m PA Si.TMe 1000 7 2A 40W(Tc=25ßC) 150 3ŒŽ13“ú 5 1A 102
2SC1296 ŽO—m SW Si.T 1300 6 5A 50W(Tc=25ßC) 150 >4 5 3.5A 102
2SC1297 “ú“d PA Si.E 50 4 3.5A 50W(Tc=25ßC) 175 50 10 2A 190* 75 149
2SC1298 “ú“d PA Si.E 50 4 5A 80W(Tc=25ßC) 175 50 10 3A 130* 110 149
2SC1299 •xŽm’Ê SW Si.TMe 300 5 30A 200W(Tc=25ßC) 175 40 5 10A 25* 191
2SC1300 •xŽm’Ê SW Si.TMe 500 5 30A 200W(Tc=25ßC) 175 25 5 15A 20* 191